GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题 GTO 电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大。
GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好。GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。MOSFET （电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
- GTO：关断能力，双向可控，适用于大功率交流开关。- GTR：类似于 GTO，通常用于整流电路。- MOSFET：高输入阻抗，适用于高频应用，但功率密度相对较低。- IGBT：具有 MOSFET 和 BJT 的特性，适用于中高功率应用，常用于逆变器和电机驱动。
这个只能比较大多数情况， IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管，超过100KHz就算很高了，而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR稍高可到几K最多几十K。
都是通过 Pulse Generator 产生驱动信号，可以设置相应的占空比，如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50，脉冲宽度为窄脉冲，为电源周期的5%，脉冲幅值可以取为5~10V，如果设置触发延迟角α为45度，只需将相位延迟参数设置为5ms，可以根据需要自己设置触发角，不同的电路可能还要设置相应的死区时间。
其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。
IGBT是绝缘栅双极型晶体管。IGBT是一种复合型功率半导体装置，全称为绝缘栅双极型晶体管。它是一种既含有场效应晶体管驱动电路特性又包含双极型晶体管特性的功率控制元件。其主要功能是在电力系统中进行开关操作，具有电压控制电流的特性。下面详细介绍IGBT的特点和作用。
IGBT是绝缘栅双极晶体管。它是一种电力电子器件，作用主要是在电路中实现开关的功能，用于控制电流的流通。接下来详细解释IGBT的作用及其相关知识： 定义与结构。IGBT全称为绝缘栅双极晶体管，是一种复合型半导体功率器件。它结合了晶体管与MOSFET的特点，具有输入阻抗高、开关速度快等特点。
IGBT是绝缘栅双极型晶体管的简称。绝缘栅双极型晶体管是一种电子元件，用于处理高电压和大电流的场合。它是一种复合型半导体功率器件，结合了晶体管的放大特性和半导体开关的特性。以下是关于IGBT的详细解释： 基本结构和工作原理：IGBT主要由三层结构组成：N型半导体基区、P型半导体基区和集电极区。
GTR（电力晶体管）耐高压，电流大开关特性好。GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。MOSFET （电力场效应晶体管）驱动电路简单，需要驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
在导通的情况下，门极加上足够大的反向触发脉冲电流，GTO就由导通转为阻断。
GTO既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点，以具有自关断能力，使用方便，是理想的高压、大电流开关器件。GTO的容量及使用寿命均超过GTR，只是工作频率比GTR低。目前，GTO已达到3000A、4500V的容量。大功率可关断晶闸管已广泛用于斩波调速、变频调速、逆变电源等领域，显示出强大的生命力。
GTR（电力晶体管）：能够承受较高的电压，电流容量较大，开关特性优良。 MOSFET（电力场效应晶体管）：驱动电路相对简单，所需驱动功率小，开关速度快，工作频率高。其热稳定性优于GTR，但电流容量较小。
- 特点：类似于 GTO，GTR 也是可关断的器件，但它通常用于整流电路。 MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）- 类型：MOSFET 是一种场效应晶体管。- 特点：主要特征是通过在栅极上施加电压来调控电流的通断。它有很高的输入阻抗，适用于高频应用。
GTR应该是Giant Transistor，为巨型晶体管，导通工作时要求发射结集电结均正偏，与普通BJT工作类似。以上的器件主要用于大电流，高压，低频场合。而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
