gto电力电子器件(gto电气)
gto电力电子器件1、不存在二次击穿问题 电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点,IGBT 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高,为电压驱动,驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压,电流容量不及GTO。2、 常用的全控型电力电子器件包括门极可关断晶闸管(GTO)。 电压控制型器件有电力晶体管(Power MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。 电流控制型器件主要是电力场效应晶体管(SIT)。 在单相桥式整流电路中,晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别…
时间:2024年12月28日
作者:tiche
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